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BSZ040N04LS G /MOSFET N-Ch 40V 40A TSDSON-8 OptiMOS 3
BSZ040N04LS G的规格信息
BSZ040N04LS G的图片

图像仅供参考,请参阅规格书

制造商:Infineon

产品种类:MOSFET

RoHS:

技术:Si

安装风格:SMD/SMT

封装 / 箱体:TSDSON-8

通道数量:1 Channel

晶体管极性:N-Channel

Vds-漏源极击穿电压:40 V

Id-连续漏极电流:40 A

Rds On-漏源导通电阻:3.3 mOhms

Vgs th-栅源极阈值电压:1.2 V

Vgs - 栅极-源极电压:20 V

Qg-栅极电荷:64 nC

最小工作温度:- 55 C

最大工作温度:+ 150 C

Pd-功率耗散:69 W

配置:Single

通道模式:Enhancement

商标名:OptiMOS

封装:Cut Tape

封装:MouseReel

封装:Reel

高度:1.1 mm

长度:3.3 mm

系列:OptiMOS 3

晶体管类型:1 N-Channel

宽度:3.3 mm

商标:Infineon Technologies

正向跨导 - 最小值:40 S

下降时间:5.4 ns

产品类型:MOSFET

上升时间:4.8 ns

工厂包装数量:5000

子类别:MOSFETs

典型关闭延迟时间:33 ns

典型接通延迟时间:8.5 ns

零件号别名:BSZ040N04LSGATMA1 BSZ4N4LSGXT SP000388295

单位重量:100 mg

供应商BSZ040N04LS G
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深圳市创科捷佳电子有限公司BSZ040N04LS G深圳市福田区中航路鼎诚大厦10楼1009-11090755-82722720
13286466676
詹嘉捷Email:jeyzhan@ckjj-ic.com询价
深圳市芯幂科技有限公司BSZ040N04LS G深圳市福田区福田街道福安社区民田路178号华融大厦240513267088774 (微信同号)Alienskype:live:.cid.3d55cb3c1097ae8dEmail:service@xinmisc.com询价
深圳市安富世纪电子有限公司BSZ040N04LS G深圳市福田区中航路都会轩24060755-82573210
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深圳市坤融电子有限公司BSZ040N04LS G航都大厦10I0755-23990975
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集好芯城BSZ040N04LS G深圳市福田区深南中路3023号汉国中心55楼0755-23903180
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深圳市辰芯伟业科技有限公司BSZ040N04LS G华强北路新华强广场B座27D0755-83238360
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深圳诚思涵科技有限公司BSZ040N04LS G深圳市福田区华强北路上步工业区101栋518室0755-23947236/83015506
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柒号芯城电子商务(深圳)有限公司BSZ040N04LS G深圳市福田区华强北路1019号华强广场D座23楼0755-83663056
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深圳市拓亿芯电子有限公司BSZ040N04LS G深圳市福田区振兴西路华康大厦2栋6030755-82777855,0755-82702619
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BSZ040N04LS G及相关型号的PDF资料
型号功能描述生产厂商厂商LOGOPDF大小PDF页数下载地址相关型号
BSZ040N04LS G连续漏极电流(Id)(25°C 时):40A 漏源电压(Vdss):40V 栅源极阈值电压:2V @ 36?A 漏源导通电阻:5.6mΩ @ 20A, 4.5V 最大功率耗散(Ta=25°C):2.1W 类型:N沟道Infineon(英飞凌)Infineon(英飞凌)的LOGO326.39 Kbytes共9页BSZ040N04LS G的PDF下载地址
BSZ040N04LS G的全球分销商及价格
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BSZ040N04LS GInfineon Technologies AG5000+:¥2.74
10000+:¥2.64
25000+:¥2.55
50000+:¥2.471+:¥5.68
10+:¥4.57
100+:¥3.51
500+:¥3.11
1000+:¥3.04
5000+:¥2.79
10000+:¥2.72
25000+:¥2.64
50000+:¥2.5810+:¥3.545000+:¥5.54
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ChipOneStop
BSZ040N04LS GInfineonFET - 单 OptiMOS?? 分立半导体产品 半导体 MOSFET OptiMOS 3 PWR TRANS 40V 40A5000+:¥2.74
10000+:¥2.64
25000+:¥2.55
50000+:¥2.471+:¥5.68
10+:¥4.57
100+:¥3.51
500+:¥3.11
1000+:¥3.04
5000+:¥2.79
10000+:¥2.72
25000+:¥2.64
50000+:¥2.5810+:¥3.54
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Digi-Key 得捷电子
BSZ040N04LS GInfineonFET - 单 OptiMOS?? 分立半导体产品 半导体 MOSFET OptiMOS 3 PWR TRANS 40V 40A5000+:¥2.74
10000+:¥2.64
25000+:¥2.55
50000+:¥2.47
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Mouser 贸泽电子
BSZ040N04LS GInfineonFET - 单 OptiMOS?? 分立半导体产品 半导体 MOSFET OptiMOS 3 PWR TRANS 40V 40A5000+:¥2.74
10000+:¥2.64
25000+:¥2.55
50000+:¥2.471+:¥5.68
10+:¥4.57
100+:¥3.51
500+:¥3.11
1000+:¥3.04
5000+:¥2.79
10000+:¥2.72
25000+:¥2.64
50000+:¥2.58
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Mouser 贸泽电子
BSZ040N04LS GInfineon TechnologiesMOSFET N-Ch 40V 40A TSDSON-8 OptiMOS 31:¥7.9891
10:¥6.8252
100:¥5.2432
500:¥4.633
5,000:¥3.2431
10,000:查看
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RS(欧时)
BSZ040N04LS GInfineonFET - 单 OptiMOS?? 分立半导体产品 半导体 MOSFET OptiMOS 3 PWR TRANS 40V 40A5000+:¥2.74
10000+:¥2.64
25000+:¥2.55
50000+:¥2.471+:¥5.68
10+:¥4.57
100+:¥3.51
500+:¥3.11
1000+:¥3.04
5000+:¥2.79
10000+:¥2.72
25000+:¥2.64
50000+:¥2.5810+:¥3.545000+:¥5.54125+:¥7.36
500+:¥6.64
2500+:¥5.77
25000+:¥5.3
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立创商城
BSZ040N04LS GInfineon(英飞凌)连续漏极电流(Id)(25°C 时):40A 漏源电压(Vdss):40V 栅源极阈值电压:2V @ 36?A 漏源导通电阻:5.6mΩ @ 20A, 4.5V 最大功率耗散(Ta=25°C):2.1W 类型:N沟道1+:¥6.14
200+:¥2.38
500+:¥2.3
1000+:¥2.25